M29W160EB70ZA6E和M29W160EB70ZA6F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M29W160EB70ZA6E M29W160EB70ZA6F M29W160EB70ZA6

描述 NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16Mbit 2M/1M x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TFBGA TrayNOR Flash Parallel 3V/3.3V 16Mbit 2M/1M x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TFBGA T/R16兆位(2MB ×8或1Mb的X16 ,引导块) 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片Flash芯片存储芯片

基础参数对比

封装 TFBGA-48 REEL TFBGA-48

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 48 - -

封装 TFBGA-48 REEL TFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

时钟频率 - - 70.0 GHz

存取时间 70 ns - 70.0 ns

内存容量 2000000 B - 16000000 B

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V - 2.7V ~ 3.6V

供电电流 10 mA - -

存取时间(Max) 70 ns - -

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