IRF120和IRF1404ZSTRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF120 IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSPBF

描述 8.0A和9.2A , 80V和100V , 0.27和0.36 Ohm的N通道功率MOSFET 8.0A and 9.2A, 80V and 100V, 0.27 and 0.36 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRF1404ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 3.7 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 - TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - - 3

额定功率 - 220 W 220 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.0027 Ω 0.0037 Ω

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 - 200 W 200 W

阈值电压 - 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) - 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) - 190A 190A

上升时间 - 110 ns 110 ns

输入电容(Ciss) - 4340pF @25V(Vds) 4340pF @25V(Vds)

下降时间 - 58 ns 58 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

耗散功率(Max) - 200W (Tc) 220000 mW

通道数 - - 1

额定功率(Max) - - 200 W

工作温度(Min) - - -55 ℃

长度 - 10 mm 10.67 mm

宽度 - 9.25 mm 9.25 mm

高度 - 4.4 mm 4.83 mm

封装 - TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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