对比图
型号 IXFC30N60P IXFR30N60P STF24N65M2
描述 Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 220Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247N-沟道 650 V 0.23 Ω 30 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-220FP
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 ISOPLUS-220 TO-247-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V 600 V -
额定电流 30.0 A 30.0 A -
漏源极电阻 250 mΩ 250 mΩ 0.23 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 166W (Tc) 166W (Tc) 30 W
输入电容 3.82 nF 3.82 nF 1060 pF
栅电荷 85.0 nC 85.0 nC -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 650 V
漏源击穿电压 600 V 600 V -
连续漏极电流(Ids) 15.0 A 15.0 A 16A
上升时间 20 ns 20 ns 9.5 ns
输入电容(Ciss) 3820pF @25V(Vds) 3820pF @25V(Vds) 1060pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 166 W - -
下降时间 25 ns 25 ns 25.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 166W (Tc) 166W (Tc) 30W (Tc)
封装 ISOPLUS-220 TO-247-3 TO-220-3
长度 - - 10.4 mm
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 End of Life Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99