MT29F1G08ABBEAH4-IT:E和MT29F1G08ABBEAH4:E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT29F1G08ABBEAH4-IT:E MT29F1G08ABBEAH4:E

描述 SLC NAND Flash Parallel 1.8V 1Gbit 128M x 8Bit 63Pin VFBGASLC NAND Flash Parallel 1.8V 1Gbit 128M x 8Bit 63Pin VFBGA

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 Flash芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 63 63

封装 VFBGA-63 VFBGA-63

工作电压 1.80 V 1.80 V

供电电流 20 mA 20 mA

位数 8 8

内存容量 125000000 B 125000000 B

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

封装 VFBGA-63 VFBGA-63

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

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