AUIRS2118S和AUIRS2118STR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRS2118S AUIRS2118STR

描述 Driver 600V 0.6A 1Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv Automotive 8Pin SOICMOSFET DRVR 600V 0.6A 1Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv 8Pin SOIC T/R

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 75ns, 25ns 75ns, 25ns

输出接口数 1 1

耗散功率 625 mW 625 mW

下降时间(Max) - 65 ns

上升时间(Max) - 130 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 625 mW

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V

输出电压 10.20 V -

输出电流 290 mA -

通道数 1 -

上升时间 130 ns -

下降时间 65 ns -

电源电压(Max) 20 V -

电源电压(Min) 10 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm -

宽度 4 mm -

高度 1.5 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

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