PDTC123EE和PDTC123YU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PDTC123EE PDTC123YU MUN5235T1

描述 NPN电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧,R2 = 2.2千欧 NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩNPN 晶体管,NXP### 数字晶体管,NXP配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 SC-75 SOT-323 SC-70-3

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 100 mA

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 35 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) - - 202 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 200 mW -

封装 SC-75 SOT-323 SC-70-3

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 1.1 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - - Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

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