IS42S16800E-75EBLI-TR和IS42S16800F-7BLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S16800E-75EBLI-TR IS42S16800F-7BLI-TR IS42S16800E-75EBL

描述 DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54Pin TFBGA T/R动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT, T&R动态随机存取存储器 128M (8Mx16) 133MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54 54

封装 TFBGA-54 TFBGA-54 TFBGA-54

位数 16 16 16

存取时间 - 5.4 ns 5.4 ns

存取时间(Max) 5.5 ns 5.4 ns 5.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

供电电流 130 mA - 130 mA

封装 TFBGA-54 TFBGA-54 TFBGA-54

长度 - - 8 mm

宽度 - - 8 mm

高度 - - 0.8 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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