BZX79-B75,113和BZX79-B75,133

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX79-B75,113 BZX79-B75,133 BZX79C75

描述 ALF 75V 0.5W(1/2W)ALF 75V 0.5W(1/2W)Discrete Devices-Diode-Zener Diode & Array

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 - -

封装 DO-204AH DO-204AH -

容差 ±2 % ±2 % -

正向电压 900mV @10mA 900mV @10mA -

耗散功率 0.5 W 500 mW -

测试电流 2 mA - -

稳压值 75 V 75 V -

正向电压(Max) 900mV @10mA 900mV @10mA -

额定功率(Max) 400 mW 400 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 DO-204AH DO-204AH -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ -

温度系数 80.2 mV/K - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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