对比图
描述 LDMOST 系列 N沟道 增强模式 射频 功率晶体管 PowerSO-10RFRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILYRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管MOS管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 - -
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10-4 PowerSO-10
频率 500 MHz - 500 MHz
额定电压(DC) 40.0 V - -
额定电流 7 A - -
耗散功率 79 W 79.0 W 79.0 W
漏源极电压(Vds) 40.0 V - -
漏源击穿电压 40 V 40.0 V 40.0 V
连续漏极电流(Ids) 7.00 A 7.00 A 7.00 A
输出功率 25 W - 25 W
增益 14.5 dB - 14.5 dB
测试电流 200 mA - 200 mA
输入电容(Ciss) 86pF @12.5V(Vds) - -
工作温度(Max) 165 ℃ - -
工作温度(Min) -65 ℃ - -
耗散功率(Max) 79000 mW - -
额定电压 40 V - 40 V
极性 - N-Channel N-Channel
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
长度 7.5 mm - -
宽度 9.4 mm - -
高度 3.5 mm - -
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10-4 PowerSO-10
工作温度 -65℃ ~ 165℃ - -
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube, Rail Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -