PD55025-E和PD55025S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PD55025-E PD55025S PD55025

描述 LDMOST 系列 N沟道 增强模式 射频 功率晶体管 PowerSO-10RFRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILYRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 - -

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10-4 PowerSO-10

频率 500 MHz - 500 MHz

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 7 A - -

耗散功率 79 W 79.0 W 79.0 W

漏源极电压(Vds) 40.0 V - -

漏源击穿电压 40 V 40.0 V 40.0 V

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 7.00 A 7.00 A

输出功率 25 W - 25 W

增益 14.5 dB - 14.5 dB

测试电流 200 mA - 200 mA

输入电容(Ciss) 86pF @12.5V(Vds) - -

工作温度(Max) 165 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 79000 mW - -

额定电压 40 V - 40 V

极性 - N-Channel N-Channel

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

长度 7.5 mm - -

宽度 9.4 mm - -

高度 3.5 mm - -

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10-4 PowerSO-10

工作温度 -65℃ ~ 165℃ - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube, Rail Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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