IXGR50N60A2U1和IXGR72N60A3H1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXGR50N60A2U1 IXGR72N60A3H1

描述 IGBT 晶体管 50 Amps 600VIGBT 模块 Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 ISOPLUS-247 ISOPLUS-247

耗散功率 - 200 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

反向恢复时间 - 140 ns

额定功率(Max) 200 W 200 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 200000 mW

长度 16.13 mm 16.13 mm

宽度 5.21 mm 5.21 mm

高度 21.34 mm 21.34 mm

封装 ISOPLUS-247 ISOPLUS-247

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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