对比图
型号 IRLD110 IRLD110PBF
描述 MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIPMOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
数据手册 --
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 HexDIP-4 DIP-4
耗散功率 1.3W (Ta) 1300 mW
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
输入电容(Ciss) 250pF @25V(Vds) 250pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
上升时间 - 47 ns
下降时间 - 17 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃
封装 HexDIP-4 DIP-4
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free