IRLU110和LU-11

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLU110 LU-11 IRLU110PBF

描述 Mosfet n-Ch 100V 4.3A i-PakPower Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Samsung (三星) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-251-3 - TO-251-3

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 4.80 A - -

通道数 1 - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 2.5W (Ta), 25W (Tc) - 2.5W (Ta), 25W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V - 100 V

连续漏极电流(Ids) 4.30 A - -

上升时间 47.0 ns - -

输入电容(Ciss) 250pF @25V(Vds) - 250pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - 2.5 W

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) - 2.5W (Ta), 25W (Tc)

宽度 2.38 mm - -

封装 TO-251-3 - TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

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