TLV8542RUGR和TLV9002IDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV8542RUGR TLV9002IDR

描述 双通道 500nA RRIO 毫微功耗运算放大器 8-X2QFN -40 to 125TLV9002IDR 编带

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 QFN-8 SOIC-8

供电电流 550 nA 60 µA

电路数 2 2

针脚数 - 8

带宽 - 1 MHz

增益频宽积 0.008 MHz 1 MHz

输入补偿电压 3.1 mV 400 µV

输入偏置电流 0.0000001μA @3.3V 5 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

共模抑制比(Min) 60 dB 63 dB

电源电压 - 1.8V ~ 5.5V

封装 QFN-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

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