DS1345YL-100和DS1345YL-70IND

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1345YL-100 DS1345YL-70IND DS1345YL-70-IND

描述 IC NVSRAM 1Mbit 100NS 34LPMIC NVSRAM 1Mbit 70NS 34LPM1024K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Dallas Semiconductor (达拉斯半导体)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 LPM-34 LPM-34 -

时钟频率 100 GHz 70.0 GHz -

存取时间 100 ns 70.0 ns -

内存容量 1000000 B 1000000 B -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V -

封装 LPM-34 LPM-34 -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

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