AON7244和IPD50N06S4-09的区别_AON7244代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 AON7244 IPD50N06S4-09 SUD50N06-09L-T4-E3

描述 60V,50A,N沟道功率MOSFETInfineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFETInfineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, DPAK-3/2

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Infineon (英飞凌) Vishay Intertechnology

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 3 -

封装 DFN-8 TO-252-3 -

额定功率 33 W - -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 83 W - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 50A 50A -

输入电容(Ciss) 2435pF @30V(Vds) 2911pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 6.2 W - -

耗散功率(Max) 6.2W (Ta), 83W (Tc) 71 W -

阈值电压 - 3 V -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 DFN-8 TO-252-3 -

长度 - 6.5 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -