CY7C1412KV18-250BZC和CY7C1412KV18-250BZXC

对比图

型号 CY7C1412KV18-250BZC CY7C1412KV18-250BZXC CY7C1412KV18-250BZCT

描述 36 - Mbit的QDR ？ II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst ArchitectureCY7C1412BV18 36 Mb (2 M x 18) 250 MHz 1.8V QDR-II 2-字突发 SRAM - FBGA-165静态随机存取存储器 36Mb 1.8V 250Mhz 2M x 18 QDR II 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 -

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

供电电流 610 mA - -

时钟频率 250 MHz - -

位数 18 18 18

存取时间 1 ms - -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

高度 0.89 mm 0.89 mm -

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 3A991.b.2.a - -