BZT52H-B51,115和BZT52H-C51,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT52H-B51,115 BZT52H-C51,115

描述 SOD-123F 51V 830mWSOD-123F 51V 830mW

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2

封装 SOD-123F SOD-123F

容差 ±2 % ±5 %

正向电压 900mV @10mA 900mV @10mA

耗散功率 830 mW 0.83 W

测试电流 5 mA 5 mA

稳压值 51 V 51 V

正向电压(Max) - 900mV @10mA

额定功率(Max) 375 mW 375 mW

耗散功率(Max) 830 mW 830 mW

针脚数 - -

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

封装 SOD-123F SOD-123F

长度 - -

宽度 - -

高度 - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

温度系数 51.9 mV/K 51.9 mV/K

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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