对比图
型号 BSZ0904NSIATMA1 FDMS8672S BSZ065N03LSATMA1
描述 INFINEON BSZ0904NSIATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2 VN沟道的PowerTrench SyncFET 30V ， 35A ， 5mohm N-Channel PowerTrench SyncFET 30V, 35A, 5mohmINFINEON BSZ065N03LSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 - 8
封装 TSDSON Power-56-8 PG-TDSON-8
额定功率 37 W - 26 W
通道数 - - 1
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.0033 Ω - 0.0054 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 37 W 2.5 W 26 W
阈值电压 2 V - 2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30.0 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 18A 35.0 A 12A
上升时间 4.4 ns 17 ns 3.4 ns
输入电容(Ciss) 1100pF @15V(Vds) 2515pF @15V(Vds) 670pF @15V(Vds)
下降时间 3 ns 7 ns 2.4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2100 mW 2.5W (Ta), 50W (Tc) 26 W
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 - 35.0 A -
输入电容 - 2.52 nF -
栅电荷 - 47.0 nC -
额定功率(Max) - 2.5 W -
长度 3.4 mm 6 mm 3.3 mm
宽度 3.4 mm 5 mm 3.3 mm
高度 1.1 mm 1.1 mm 1.1 mm
封装 TSDSON Power-56-8 PG-TDSON-8
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
ECCN代码 - EAR99 -