对比图
型号 IPI70N10S3L-12 IPI70N10S3L12AKSA1 IPP70N10S3L12AKSA1
描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorInfineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI70N10S3L12AKSA1, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP70N10S3L12AKSA1, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-220-3
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 - 125W (Tc) 125W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 70A 70A 70A
上升时间 - 5 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 4270pF @25V(Vds) 4270pF @25V(Vds) 4270pF @25V(Vds)
下降时间 - 5 ns 5 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125 W 125W (Tc) 125W (Tc)
额定功率(Max) 125 W - -
长度 10 mm 10 mm 10 mm
宽度 4.4 mm 4.4 mm 4.4 mm
高度 9.25 mm 9.25 mm 15.65 mm
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 无铅