对比图
型号 MRF6V12250HSR5 MRF6V14300HR3 MMRF1008HSR5
描述 RF Power Transistor,960 to 1215MHz, 275W, Typ Gain in dB is 20.3 @ 1030MHz, 50V, LDMOS, SOT1793Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400MHz, 330W, 50VRF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 960- 1215MHz 275W 50V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管晶体管晶体管
引脚数 3 - 3
封装 NI-780S NI-780H-2L NI-780S
安装方式 Surface Mount - -
频率 1.03 GHz 1.4 GHz 1.03 GHz
输出功率 275 W 330 W 275 W
增益 20.3 dB 18 dB 20.3 dB
测试电流 100 mA 150 mA 100 mA
输入电容(Ciss) - - 695pF @50V(Vds)
工作温度(Max) 225 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
额定电压 100 V 100 V 100 V
电源电压 50 V - 50 V
额定电流 10 µA - -
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -
封装 NI-780S NI-780H-2L NI-780S
工作温度 -65℃ ~ 225℃ - -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99