SI7922DN-T1-GE3和SIS902DN-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI7922DN-T1-GE3 SIS902DN-T1-GE3 SI7922DN-T1-E3

描述 MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8SI7922DN-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Module, 1.8A, 100V, 8Pin PowerPAK 1212

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 8

封装 1212-8 PowerPAK-1212-8 1212-8

漏源极电阻 - - 0.23 Ω

极性 - - N-Channel

耗散功率 - - 1.3 W

漏源极电压(Vds) 100 V 75 V 100 V

漏源击穿电压 - - 100 V

连续漏极电流(Ids) - - 25.0 A

热阻 - - 77℃/W (RθJA)

额定功率(Max) 1.3 W 15.4 W 1.3 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

输入电容(Ciss) - 175pF @38V(Vds) -

长度 - 3.3 mm 3.15 mm

封装 1212-8 PowerPAK-1212-8 1212-8

宽度 - 3.3 mm -

高度 - 1.04 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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