对比图
型号 IXGA12N120A2 IXGA12N120A3
描述 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 24A 75000mW 3Pin(2+Tab) TO-263AAIGBT 晶体管 1200V, 12A IGBT; G Series
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3
耗散功率 75000 mW 100 W
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V
额定功率(Max) 75 W 100 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 75000 mW 100000 mW
长度 10.29 mm 9.65 mm
宽度 9.65 mm 10.41 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free