IRFU024N和IRFU024NPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFU024N IRFU024NPBF IRFU024

描述 IPAK N-CH 55V 17AINFINEON  IRFU024NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 75 mohm, 10 V, 4 VPower Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 3 -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

安装方式 - Through Hole -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 45 W 45 W -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -

连续漏极电流(Ids) 17A 17A -

上升时间 34 ns 34 ns -

输入电容(Ciss) 370pF @25V(Vds) 370pF @25V(Vds) -

下降时间 27 ns 27 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 45000 mW 45W (Tc) -

额定功率 - 38 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.075 Ω -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 370 pF -

漏源击穿电压 - 55 V -

额定功率(Max) - 45 W -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 2.39 mm -

高度 - 6.22 mm -

材质 Silicon - -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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