对比图
型号 IXSN52N60AU1 IXXN100N60B3H1
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 4Pin SOT-227BTrans IGBT Chip N-CH 600V 440A 500000mW 4Pin SOT-227B
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Chassis Chassis
封装 SOT-227-4 SOT-227-4
引脚数 - 4
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
输入电容(Cies) 4.5nF @25V 4.86nF @25V
额定功率(Max) 250 W 500 W
耗散功率 - 500000 mW
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 500000 mW
封装 SOT-227-4 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99