SI4559ADY-T1-GE3和SI7530DP-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4559ADY-T1-GE3 SI7530DP-T1-GE3 AUIRF7343Q

描述 MOSFET, N-Ch/P-Ch, Vds 60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 46mohm, Id 4.5A, SO-8, Pd 3.4WMOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOICINFINEON  AUIRF7343Q  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

漏源极电压(Vds) 60 V - 55 V

输入电容(Ciss) 665pF @15V(Vds) - 740pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.043 Ω

极性 - - N+P

耗散功率 - - 2 W

阈值电压 - - 1 V

连续漏极电流(Ids) - - 4.7A/3.4A

额定功率(Max) - - 2 W

长度 5 mm - 4.9 mm

高度 1.55 mm - 1.75 mm

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

宽度 - - 3.9 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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