对比图
型号 IRFL4105TR IRFL4105TRPBF PHT8N06LT
描述 SOT-223 N-CH 55V 5.2AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。NXP PHT8N06LT 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 55 V, 80 mohm, 5 V, 1.5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-223
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.045 Ω 80 mΩ
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 1W (Ta) 2.1 W 8.3 W
阈值电压 - 4 V 1.5 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 3.70 A 3.70 A 5.50 A
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V -
额定电流 3.70 A 3.70 A -
额定功率 - 2.1 W -
通道数 - 1 -
产品系列 IRFL4105 IRFL4105 -
漏源击穿电压 - 55 V -
上升时间 12 ns 12 ns -
输入电容(Ciss) 660pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 1 W -
下降时间 12 ns 12 ns -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta) -
封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-223
长度 - 6.7 mm -
宽度 - 3.7 mm -
高度 - 1.8 mm -
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
含铅标准 Contains Lead Lead Free -
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
ECCN代码 - EAR99 -