IRFZ48R和IRFZ48RPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ48R IRFZ48RPBF

描述 MOSFET N-CH 60V 50A TO-220ABMOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 -

耗散功率 190W (Tc) 190W (Tc)

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 190 W -

耗散功率(Max) 190W (Tc) 190W (Tc)

宽度 4.7 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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