对比图
型号 FQU4N25TU IRFU214 IRFU214PBF
描述 N沟道 250V 3AMOSFET N-CH 250V 2.2A I-PAKMOSFET N-CH 250V 2.2A I-PAK
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
引脚数 - 3 -
耗散功率 2.5 W 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V
输入电容(Ciss) 200pF @25V(Vds) 140pF @25V(Vds) 140pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W - 2.5 W
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 37W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
额定电压(DC) 250 V - -
额定电流 3.00 A - -
通道数 1 - -
漏源极电阻 1.75 Ω - -
极性 N-Channel N-Channel -
漏源击穿电压 250 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 3.00 A 2.20 A -
上升时间 45 ns - -
下降时间 22 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) 55 ℃ - -
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
长度 6.8 mm - -
宽度 2.5 mm - -
高度 6.3 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free