GS880Z18CGT-250V和IS61LPS51218A-200TQLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS880Z18CGT-250V IS61LPS51218A-200TQLI GS880Z18CGT-250IV

描述 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 18 9MSRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-bit 512K x 18 3.1ns 100Pin TQFPSRAM Chip Sync Single 1.8V/2.5V 9M-Bit 512K x 18 5.5ns/3ns 100Pin TQFP Tray

数据手册 ---

制造商 GSI Integrated Silicon Solution(ISSI) GSI

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 TQFP-100 TQFP-100 LQFP

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 100 -

存取时间 5.5 ns 3.1 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.47 V (max) -

供电电流 - 275 mA -

时钟频率 - 200MHz (max) -

位数 - 18 -

内存容量 - 9000000 B -

存取时间(Max) - 3.1 ns -

电源电压 - 3.135V ~ 3.465V -

电源电压(Max) - 3.465 V -

电源电压(Min) - 3.135 V -

封装 TQFP-100 TQFP-100 LQFP

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

ECCN代码 - EAR99 -

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