IRFB4215PBF和STP80NF55L-06

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFB4215PBF STP80NF55L-06 IRFB3306PBF

描述 Trans MOSFET N-CH 60V 115A 3Pin(3+Tab) TO-220ABSTMICROELECTRONICS  STP80NF55L-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 VN沟道,60V,160A,4.2mΩ@10V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 60.0 V 55.0 V 60.0 V

额定电流 115 A 80.0 A 160 A

漏源极电阻 - 0.008 Ω 4.2 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 270 W 300 W 230 W

产品系列 IRFB4215 - IRFB3306

输入电容 - - 4520pF @50V

栅电荷 - - 120 nC

漏源极电压(Vds) 60 V 55 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 115 A 80.0 A 160 A

输入电容(Ciss) 4080pF @25V(Vds) 4850pF @25V(Vds) 4520pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 270 W 300 W 230 W

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 3 V -

漏源击穿电压 60.0 V 55.0 V -

栅源击穿电压 - ±16.0 V -

上升时间 160 ns 180 ns -

下降时间 - 80 ns -

耗散功率(Max) - 300W (Tc) -

额定功率 270 W - -

长度 - 10.4 mm 10.67 mm

高度 - 15.75 mm 9.02 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

宽度 - 4.6 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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