SP8K4FU6TB和SP8K4TB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SP8K4FU6TB SP8K4TB

描述 ROHM  SP8K4FU6TB  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9 A, 30 V, 24 mohm, 10 V, 2.5 VSOP N-CH 30V 9A

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOP-8 SOIC-8

针脚数 8 -

漏源极电阻 24 mΩ -

极性 N-Channel, Dual N-Channel N-CH

耗散功率 2 W -

阈值电压 2.5 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 9.00 A 9.00 A

输入电容(Ciss) 1190pF @10V(Vds) 1190pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ -

额定电压(DC) - 30.0 V

额定电流 - 9.00 A

上升时间 - 15.0 ns

封装 SOP-8 SOIC-8

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not For New Designs Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

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