IRS21271PBF和IRS2127STRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRS21271PBF IRS2127STRPBF IRS21281SPBF

描述 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,单通道,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3INFINEON  IRS21281SPBF  门驱动器, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 600mA输出, 150ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器电源管理FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PDIP-8 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns

输出接口数 1 1 1

输出电流 0.29 A 200 mA 290 mA

耗散功率 1000 mW 625 mW 0.625 W

下降时间(Max) 65 ns 65 ns 65 ns

上升时间(Max) 130 ns 130 ns 130 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 625 mW 625 mW

电源电压 9V ~ 20V 12V ~ 20V 9V ~ 20V

电源电压(Max) 20 V 20 V 20 V

电源电压(Min) 10 V 10 V 10 V

针脚数 - 8 8

上升时间 - 130 ns 80 ns

下降时间 - 65 ns 40 ns

输出电压 - - 9V ~ 20V

长度 10.92 mm 5 mm 5 mm

宽度 7.11 mm 4 mm 4 mm

高度 5.33 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 PDIP-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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