对比图
型号 SIHA20N50E-E3 SPA21N50C3XKSA1
描述 VISHAY SIHA20N50E-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 VINFINEON SPA21N50C3XKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 560 V
额定电流 - 21.0 A
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.16 Ω 0.16 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 34 W 34.5 W
阈值电压 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) - 21.0 A
上升时间 - 5 ns
输入电容(Ciss) - 1660pF @25V(Vds)
下降时间 - 4.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 34 W
长度 - 10.65 mm
宽度 - 4.85 mm
高度 - 16.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
产品生命周期 - Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17