对比图
型号 SI4435DY SI4835DY SI4435DYTRPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SI4435DY. 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 15 mohm, -10 V, -1.7 VP沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETINFINEON SI4435DYTRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.015 ohm, 10 V, -1 V 新
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SO SOIC-8
额定电压(DC) -30.0 V - -30.0 V
额定电流 -8.80 A - -8.00 A
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.015 Ω 15.0 mΩ 0.035 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 2.50 W 2.5 W
产品系列 - - SI4435DY
输入电容 1.60 nF - 2320 pF
漏源极电压(Vds) 30 V -30.0 V 30 V
连续漏极电流(Ids) -8.80 A -8.80 A -8.00 A
上升时间 13.5 ns - 76 ns
输入电容(Ciss) 1604pF @15V(Vds) - 2320pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1 W - 2.5 W
下降时间 - - 90 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)
栅电荷 17.0 nC - -
漏源击穿电压 -150 V -30.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±25.0 V -
长度 4.9 mm - 5 mm
封装 SOIC-8 SO SOIC-8
宽度 3.9 mm - -
高度 1.57 mm - -
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99