BLF6G22LS-100,112和BLF6G22LS-75,112

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF6G22LS-100,112 BLF6G22LS-75,112 BLF6G22LS-100,118

描述 Trans RF MOSFET N-CH 65V 29A 3Pin SOT-502B BulkBlf6g22ls-75 - 功率Ldmos晶体管Blf6g22ls-100 - 功率Ldmos晶体管

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-502 SOT-502-3 SOT502B

频率 2.11GHz ~ 2.17GHz - 2.11 GHz

额定电流 29 A - 29 A

输出功率 25 W - 25 W

增益 18.2 dB - 18.5 dB

测试电流 950 mA - 950 mA

工作温度(Max) - 150 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃ -65 ℃

漏源极电阻 - 240 mΩ -

漏源击穿电压 - 65 V -

封装 SOT-502 SOT-502-3 SOT502B

长度 - 20.7 mm -

宽度 - 9.91 mm -

高度 - 4.72 mm -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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