IXTA4N60P和IXTP4N60P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA4N60P IXTP4N60P IXFP4N60P3

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3Pin(2+Tab) D2PAKTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3Pin(3+Tab) TO-220N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 4.00 A 4.00 A -

耗散功率 89W (Tc) 89 W 114W (Tc)

输入电容 635 pF 635 pF -

栅电荷 13.0 nC 13.0 nC -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 4.00 A -

输入电容(Ciss) 635pF @25V(Vds) 635pF @25V(Vds) 365pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 89W (Tc) 89W (Tc) 114W (Tc)

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

上升时间 - 10 ns -

下降时间 - 20 ns -

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.66 mm 10.66 mm

宽度 - 4.83 mm 4.83 mm

高度 - 16 mm 16 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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