对比图
型号 IS42S16100E-6BL IS42S16100H-6BL IS42VM16100G-6BLI
描述 动态随机存取存储器 16M 1Mx16 166Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V16m, 3.3V, Sdram, 1mx16, 166MHz, 60 Ball Bga (6.4mmx10.1mm) RohsSynchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 6.40 X 10.1MM, LEAD FREE, TFBGA-60
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 60 60 60
封装 BGA-60 TFBGA-60 BGA
位数 16 16 16
存取时间 6 ns 5.5 ns -
存取时间(Max) 6ns, 5.5ns 6ns, 5.5ns 8ns, 5.5ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V -
供电电流 - - 55 mA
封装 BGA-60 TFBGA-60 BGA
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray - Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99