对比图
型号 IRF3710L IRF3710LPBF
描述 TO-262 N-CH 100V 57AN 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-262-3
引脚数 - 3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 200W (Tc) 200 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 57A 57A
输入电容(Ciss) 3130pF @25V(Vds) 3130pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc)
额定功率 - 200 W
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.023 Ω
阈值电压 - 4 V
上升时间 - 58 ns
额定功率(Max) - 200 W
下降时间 - 47 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 TO-262-3 TO-262-3
长度 - 10.67 mm
宽度 - 15.01 mm
高度 - 4.83 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free