对比图
型号 IRL3713PBF IRLB3813PBF IRF2903ZPBF
描述 INFINEON IRL3713PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 30 V, 3 mohm, 10 V, 2.5 VINFINEON IRLB3813PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 260 A, 30 V, 0.0016 ohm, 10 V, 1.9 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 200 W 230 W 290 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.003 Ω 0.0016 Ω 0.0024 Ω
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 200 W 230 W 290 W
阈值电压 2.5 V 1.9 V 4 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 260A 260A 260A
上升时间 160 ns 170 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 5890pF @15V(Vds) 8420pF @15V(Vds) 6320pF @25V(Vds)
下降时间 57 ns 60 ns 37 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 330W (Tc) 230W (Tc) 290W (Tc)
输入电容 5890 pF 8420 pF -
额定功率(Max) 330 W 230 W -
长度 10.66 mm 10.67 mm 10.67 mm
宽度 4.82 mm 4.83 mm 4.83 mm
高度 16.51 mm 9.02 mm 16.51 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17