APT20M45BVFRG和IXFH50N20

对比图

型号 APT20M45BVFRG IXFH50N20 STW40NF20

描述 TO-247 N-CH 200V 56AIXYS SEMICONDUCTOR  IXFH50N20  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STW40NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V

额定电流 56.0 A 50.0 A 40.0 A

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.045 Ω 0.038 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 300 W 160 W

阈值电压 - 4 V 3 V

输入电容 4.86 nF - 2.50 nF

栅电荷 195 nC - 75.0 nC

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 - - 200 V

连续漏极电流(Ids) 56.0 A 50.0 A 25.0 A, 40.0 A

上升时间 14 ns 15.0 ns 44 ns

输入电容(Ciss) 4860pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 300 W 160 W

下降时间 7 ns - 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 160W (Tc)

额定功率 - 300 W -

长度 - - 15.75 mm

宽度 - - 5.15 mm

高度 - - 20.15 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not For New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -