对比图
型号 2SK1162 2SK1162-E 2SK1516-E
描述 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET
数据手册 ---
制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 - - 3
封装 TO-3 TO-3 TO-3
安装方式 Through Hole - -
上升时间 - - 65 ns
输入电容(Ciss) - - 1100pF @10V(Vds)
下降时间 - - 55 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 100000 mW
极性 N-CH - -
漏源极电压(Vds) 500 V - -
连续漏极电流(Ids) 10A - -
封装 TO-3 TO-3 TO-3
材质 - - Silicon
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Not Recommended
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free