MC100EP31DG和MC100EP51DG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC100EP31DG MC100EP51DG MC100EL31DG

描述 ON SEMICONDUCTOR  MC100EP31DG  触发器, 设置和复位, 差分, ECL, 正沿, D, 340 ps, 3 GHz, 50 mA, SOIC, 8 引脚ON SEMICONDUCTOR  MC100EP51DG  触发器, 复位和差分时钟, 差分, ECL, 正沿, D, 370 ps, 3 GHz, 50 mA, SOIC, 8 引脚ON SEMICONDUCTOR  MC100EL31DG  触发器, 设置和复位, 差分, ECL, 正沿, D, 475 ps, 2.8 GHz, 50 mA, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 触发器触发器触发器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

频率 3 GHz 3 GHz 2.8 GHz

电源电压(DC) 6.00 V, 6.00 V (max) 3.00V (min) 4.20V (min)

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

输出接口数 1 1 1

输出电流 50 mA 50 mA 50 mA

电路数 1 1 1

针脚数 8 8 8

时钟频率 3 GHz 3 GHz 2.8 GHz

位数 1 1 1

极性 Non-Inverting, Inverting Non-Inverting, Inverting Non-Inverting, Inverting

输入数 1 1 1

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 5.5V 3V ~ 5.5V 4.2V ~ 5.7V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.7 V

电源电压(Min) 3 V 3 V 4.2 V

通道数 1 - -

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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