对比图
型号 IRF9Z24NS IRF9Z24NSPBF IRF9Z24NSTRLPBF
描述 D2PAK P-CH 55V 12AINFINEON IRF9Z24NSPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -55 V, 175 mohm, -10 V, -4 VHEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 3.8W (Ta), 45W (Tc) 45 W 3.8 W
输入电容 - - 350 pF
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12A 12A
上升时间 55 ns 55 ns 55 ns
输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 3.8 W
下降时间 37 ns 37 ns 37 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 45W (Tc) 3800 mW 3.8W (Ta), 45W (Tc)
额定功率 - 45 W -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.175 Ω -
阈值电压 - 4 V -
额定电压(DC) -55.0 V - -
额定电流 -12.0 A - -
产品系列 IRF9Z24NS - -
漏源击穿电压 -55.0 V - -
长度 - 10.67 mm 10.67 mm
宽度 - 9.65 mm 11.3 mm
高度 - 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Rail, Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -