BUR51和BUT92

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUR51 BUT92 BUT92AR1

描述 大电流NPN硅晶体管 HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR快速开关功率晶体管 FAST-SWITCHING POWER TRANSISTORPower Bipolar Transistor, 50A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-3 TO-204 -

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 300 V - -

额定电流 60.0 A - -

极性 NPN - -

耗散功率 350 W - -

集电极击穿电压 300 V - -

击穿电压(集电极-发射极) 200 V 250 V -

最小电流放大倍数(hFE) 20 @5A, 4V - -

额定功率(Max) 350 W 250 W -

额定功率 - 250 W -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 250000 mW -

封装 TO-3 TO-204 -

工作温度 200℃ (TJ) 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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