BZV85C6V8和BZV85-C6V8,113

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV85C6V8 BZV85-C6V8,113 BZV85-C6V8

描述 6.8V, 1W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2NXP  BZV85-C6V8,113  单管二极管 齐纳, 6.8 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °CNXP  BZV85-C6V8  单管二极管 齐纳, 6.8 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Axial Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-41 DO-41 DO-41

封装 DO-41 DO-41 DO-41

长度 - 4.8 mm -

宽度 - 2.6 mm -

高度 - 2.6 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

针脚数 - 2 2

耗散功率 - 1 W 1 W

稳压值 - 6.8 V 6.8 V

工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1V @50mA -

测试电流 - 35 mA -

正向电压(Max) - 1V @50mA -

额定功率(Max) - 1.3 W -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1300 mW -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -

温度系数 - 2.8 mV/℃ -

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