BZD27C6V2P/G2和BZT52H-C6V2,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZD27C6V2P/G2 BZT52H-C6V2,115

描述 VISHAY  BZD27C6V2P/G2  单管二极管 齐纳, 6.2 V, 800 mW, DO-219AB, 2 引脚, 150 °CNXP  BZT52H-C6V2,115  单管二极管 齐纳, 6.2 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2

封装 DO-219AB SOD-123F

针脚数 2 2

耗散功率 800 mW 375 mW

测试电流 100 mA 5 mA

稳压值 6.2 V 6.2 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

容差 - ±5 %

正向电压 - 900mV @10mA

正向电压(Max) - 900mV @10mA

额定功率(Max) - 375 mW

耗散功率(Max) - 830 mW

封装 DO-219AB SOD-123F

产品生命周期 Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

温度系数 - 2.05 mV/K

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台