对比图
型号 IRF1404ZSTRLPBF JAN2N6758 IRF1404ZSTRRPBF
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 4 VTO-3 N-CH 200V 9AD2PAK N-CH 40V 190A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-204 TO-263-3
引脚数 - - 3
通道数 - 1 -
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 200 W 4W (Ta), 75W (Tc) 200W (Tc)
漏源极电压(Vds) 40 V 200 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 190A 9A 190 A
耗散功率(Max) 200W (Tc) 4W (Ta), 75W (Tc) 200W (Tc)
额定功率 220 W - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.0027 Ω - -
阈值电压 4 V - -
上升时间 110 ns - 110 ns
输入电容(Ciss) 4340pF @25V(Vds) - 4340pF @25V(Vds)
下降时间 58 ns - 58 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
产品系列 - - IRF1404ZS
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 TO-263-3 TO-204 TO-263-3
长度 10 mm - -
宽度 9.25 mm - -
高度 4.4 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free