IRFR3910PBF和IRFR3910TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR3910PBF IRFR3910TRPBF

描述 INFINEON  IRFR3910PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 100 V, 0.115 ohm, 10 V, 4 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - -

额定电流 - -

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.115 Ω 0.115 Ω

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 52 W 79 W

产品系列 - -

阈值电压 4 V 4 V

输入电容 640pF @25V 640 pF

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V -

连续漏极电流(Ids) 16A 16A

上升时间 27 ns 27 ns

输入电容(Ciss) 640pF @25V(Vds) 640pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 79 W 79 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

额定功率 52 W 52 W

通道数 1 -

下降时间 25 ns 25 ns

耗散功率(Max) 79W (Tc) 79W (Tc)

长度 6.73 mm 6.73 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

宽度 6.22 mm 6.22 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

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