MMBT2369LT3G和MPS2369AG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2369LT3G MPS2369AG MMBT2369ALT1G

描述 NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 15V Switching NPNON SEMICONDUCTOR  MMBT2369ALT1G  单晶体管 双极, NPN, 15 V, 225 mW, 200 mA, 40 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23-3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 300 mW 625 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 15 V 15 V 15 V

集电极最大允许电流 0.2A - 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 20 20 @100mA, 1V 20 @100mA, 1V

额定功率(Max) 225 mW 625 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 225 mW - 300 mW

额定电压(DC) - 15.0 V 15.0 V

额定电流 - 200 mA 200 mA

针脚数 - - 3

直流电流增益(hFE) - - 40

长度 3.04 mm 5.2 mm 2.9 mm

宽度 2.64 mm 4.19 mm 1.3 mm

高度 1.11 mm 5.33 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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