对比图
型号 IRLZ34L IRLZ34N SIHLZ34L-E3
描述 MOSFET N-CH 60V 30A TO-262N沟道增强模式的逻辑电平的TrenchMOS晶体管 N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistorTRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix NXP (恩智浦) Vishay Siliconix
分类 MOS管
安装方式 Through Hole - -
封装 TO-262-3 - -
耗散功率 3.7W (Ta), 88W (Tc) - -
漏源极电压(Vds) 60 V - -
输入电容(Ciss) 1600pF @25V(Vds) - -
耗散功率(Max) 3.7W (Ta), 88W (Tc) - -
封装 TO-262-3 - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Contains Lead - -